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全新技術 Micron 宣布基於新一代 HMC (Hybrid Memory Cube) 的記憶體樣本已正式出貨，文件倉頻寬較現時主流的 DDR3 提升 15 倍，而耗電更可降低 70% 之多。 整合記憶體控制器 近數年，處理器技術發展迅速，新架構、多核心、多�程運算，讓效能以倍數提升，但記憶體技術卻一直停滯不前，現時主流的 DDR3 使用超過 6 年，廠商只能以增加運作通道 (Channel) 及提升運作時脈手段，來增加可用頻寬，但此舉未能帶來顛覆性的速度提升，同時更會增加運作功耗。為此，以 Micron 牽頭，再加上多間廠商包括：Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、Samsung 及 SK Hynix 組成聯盟，研發新一代 Hybrid Memory Cube (HMC) 記憶體架構。 現時，記憶體控制器一般內建於處理器，再配合 DRAM 匯流排連接記憶體，故當各運算核心同時存取記憶體時，需經過複雜的排程器 (Scheduler) ，並經常按需要進行重新排序，此架構會增加存取延遲，並降低可用頻寬，特別是當資料需在記憶體之間移動時，必須重新進出處理器，亦令技術難有突破性發展。HMC 架構最大的特點，在於直接將記憶體控制器置於記憶體，並設有多組 Login Control、Slice Control 及 Crossbar Switch 作記憶體內部資料交換，同存倉設有多組 Link Interface Controller 方便與處理器核心直接連�。利用 HMC 架構，記憶體可用頻寬達到 160GB/s，是現時 DRAM 架構的 15 倍。 2GB 顆粒上場 HMC 架構的記憶體使用立體封裝設計，即多片 Memory Die 晶片可堆疊在一起，形成立方體架構，透過 Through-Silicon Vias (TSV) 技術進行連接，這可讓每顆記憶體顆粒的儲存封裝密度 (Packing Density) 大幅增加，在相同儲存容量下，可將顆粒體積縮減 90%，特別適合用於智能手機、平板機等微型裝置。 Micron 出貨的 HMC 記憶體樣本容量為 2GBytes 的 HMC 存儲立方，該立方由四枚容量為 4Gbits的 DRAM 堆疊而成，從而達成 160GB/s 的記憶體頻寬，並設有 BGA及 FBGA 兩種封裝型號，其運作電壓僅為 1.2V，其每位元組功耗比現有技術減少 70% 以上。Micron 表示繼 2GBytes HMC 記憶體後，計劃於明年初出貨 4GBytes 的 HMC 記憶體樣本，而於 2014 年內更可進入量產階段。不過，如要實際轉用 HMC 記憶體，處理器設計需作相應更改，故 Micron 預計最快要三到五年後，HMC 記憶體才可以實現商業應用。 text．photo/ 天人∣edit/Wesley∣art/Tsun 儲存